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伤农伤农1999年进入中国科学院化学研究所工作。照样2015年获何梁何利基金科学与技术进步奖。
谷贱谷贵2014年作为中国大陆首位获奖人获得美国材料学会奖励MRSMid-CareerResearcherAward。伤农伤农同年获得化学领域和材料领域汤森路透高被引科学家奖以及最具国际引文影响力奖。此外，照样在纯净和掺杂的PtD-y晶体中观察到了与EnT过程耦合的显着PL各向异性。
由于固有的多级不对称性，谷贱谷贵混合膜表现出电荷控制的不对称离子传输行为，可以大大减少离子极化现象。发表学术论文560余篇，伤农伤农申请中国发明专利100余项。
这项工作展示了设计双极膜的策略，照样并阐述了其在盐度梯度发电系统中的优越性。
主要从事纳米碳材料、谷贱谷贵二维原子晶体材料和纳米化学研究，谷贱谷贵在石墨烯、碳纳米管的化学气相沉积生长方法及其应用领域做出了一系列开拓性和引领性工作，是国际上具有代表性的纳米碳材料研究团队之一。该表面态调控方法一定程度上解决了无机钙钛矿量子点提纯难题，伤农伤农有助于推动无机钙钛矿在实际发光器件，尤其是柔性高清显示器中的应用。
随着蓝色发光到绿色发光的转换，照样间隙锌和空位氧在EPR谱中存在强烈相关的变化。谷贱谷贵该研究成果以50-FoldEQEImprovementupto6.27%ofSolution-ProcessedAll-InorganicPerovskiteCsPbBr3 QLEDsviaSurfaceLigandDensityControl为题发表在AdvancedMaterials上（Adv.Mater.2017,29,1603885.）。
目前已获SCI引用2600余次，伤农伤农入选ESI1%高被引论文。该工作聚焦低成本环保型量子点显示技术，照样开发出全溶液旋涂技术处理功能层和电极阵列化技术相结合的技术路线，照样成功实现了基于环保型蓝光量子点ZnSeTe/ZnS的mini-QLEDs。
