储能、氢能相关技术难题入选中国科协2021年30个重大问题难题

  时间:2025-07-09 02:09:27作者:Admin编辑:Admin

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通过对退火温度的优化,技术作者发现APD-IID在120°C的退火温度下可以表现出0.20cm2V-1s-1的最高空穴迁移率,技术这比其苯型同分异构体的最高迁移率高出一到两个数量级(1Py-IID:7.53×10-3cm2V-1s-1;2Py-IID:4.74×10-2cm2V-1s-1)。2019年加入南开大学化学学院,难题年3难题依托元素有机化学国家重点实验室独立开展研究工作。

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近日,入选该课题组首次以APD作为结构基元,入选发展了D-A-D型有机半导体分子APD-IID,通过与基于芘的同分异构体进行对比研究,揭示了非苯型APD衍生物的独特性质及其在有机半导体器件中的优势(图1)。这一工作不仅证明了非苯芳烃类分子在有机半导体材料中的巨大潜力,中国重也为新型有机半导体材料的发展开辟了新体系与新机遇。图4.APD-IID与其苯型同分异构体(1Py-IID和2Py-IID)的电荷传输性能对比研究综上所述,科协该工作首次将非苯芳烃APD作为结构基元应用于新型有机半导体材料的创制,科协并通过与其苯型同分异构体的直接对比,揭示了其独特的电荷分离特征与在半导体器件中的优势。

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芘作为经典的合成砌块已被广泛用于构筑高性能有机半导体材料,问题但其非苯型同分异构体APD还从未被应用于有机光电材料领域。从三个分子的薄膜二维掠入射广角X射线散射(2D-GIWAXS)图可以看出,相关APD-IID薄膜表现出清晰的衍射点,相关而1Py-IID表现出衍射环,2Py-IID表现出衍射弧,这说明APD-IID在固态下的堆积更为有序。

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南开大学王小野课题组在2019年发展了新颖的合成策略实现了APD的高效克级制备,技术解决了长期以来APD难以合成的问题,技术为探索基于APD的新型有机半导体材料体系奠定了坚实的化学基础(X.-Y.Wang*etal.,J.Am.Chem.Soc.2021,143,5314−5318)。

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